PD57030S-E
PD57030S-E
- 描述
- 30W 28V HF - 1GHz LDMOS晶体管，PSO-10RF塑料封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD57030S-E
- 商品编号
- C5269707
- 商品封装
- PowerSO-10RF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.498684克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
该器件是一款共源 N 沟道增强型横向场效应射频功率晶体管,专为高增益、宽带商用和工业应用而设计。它在共源模式下以 28 V 电压工作,频率高达 1 GHz。该器件采用意法半导体(ST)最新的 LDMOS 技术,封装于首款真正的表面贴装(SMD)塑料射频功率封装 PowerSO - 10RF 中,具备出色的增益、线性度和可靠性。其卓越的线性度性能使其成为基站应用的理想选择。PowerSO - 10 塑料封装专为实现高可靠性而设计,是意法半导体首款获得 JEDEC 认证的高功率 SMD 封装,针对射频需求进行了特别优化,具备出色的射频性能且易于组装。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源配置
- 在 945 MHz / 28 V 条件下,输出功率 POUT = 30 ~W,增益为 14 dB
- 新型射频塑料封装
应用领域
-开关应用