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PD54003-E
PD54003-E
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- 描述
- RF功率LDMOS晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD54003-E
- 商品编号
- C5269709
- 商品封装
- PowerSO-10RF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 耗散功率(Pd) | 52.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 59pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -40℃~+165℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
该器件是一款共源 N 沟道增强型横向场效应射频功率晶体管,专为高增益宽带商业和工业应用而设计。它在共源模式下,可在 7 V 电压、高达 1 GHz 的频率下工作。该器件具备意法半导体(ST)最新 LDMOS 技术 PowerSO - 10RF 的出色增益、线性度和可靠性。卓越的线性性能使其成为便携式无线电的理想解决方案。PowerSO - 10RF 是首款真正的表面贴装器件(SMD)塑料射频功率封装,基于高度可靠的 PowerSO - 10,这是意法半导体首创、经 JEDEC 批准的高功率 SMD 封装。它针对射频需求进行了专门优化,不仅提供出色的射频性能,而且易于组装。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源配置
- 在 500 MHz 时,输出功率 POUT = 3 ~W,增益为 12 dB
- 新型射频塑料封装
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）