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STB150NF55T4
1个N沟道 耐压:55V 电流:150A
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- 描述
- N沟道55V - 0.005 OHM -120A D2PAK STRIPFET II MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB150NF55T4
- 商品编号
- C5269568
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.704444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度,可实现低导通电阻、出色的雪崩特性,且对准步骤要求较低,因此具备卓越的制造重复性。
商品特性
- 电流受封装限制
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关应用