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STB120N4LF6
耐压:40V 电流:80A
- 描述
- N沟道40 V、3.1 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB120N4LF6
- 商品编号
- C5269575
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
商品概述
这款STripFET III功率MOSFET技术是最新的改进成果之一，专门针对降低导通电阻进行了优化，可提供卓越的开关性能。
商品特性
- 标准阈值驱动
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用