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STB120N4LF6
耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- N沟道40 V、3.1 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB120N4LF6
- 商品编号
- C5269575
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 375pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
基于专有STripFET技术的40 V N沟道STripFET VI功率MOSFET,具备新型栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻(RDS(on))。
商品特性
- 逻辑电平驱动
- 100%雪崩测试
应用领域
-开关应用-汽车领域