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STD80N6F6
耐压:60V 电流:80A
- 描述
- 汽车级N沟道60 V、4.4 mOhm典型值、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD80N6F6
- 商品编号
- C5269559
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.325nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET采用独特的“单一特征尺寸”条形工艺，是该工艺的最新成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具备卓越的制造可重复性。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用