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STS10P4LLF6
1个P沟道 耐压:40V 电流:10A
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- 描述
- P沟道40 V、0.0125 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFET，SO-8封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS10P4LLF6
- 商品编号
- C5268780
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 238.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
全新的MDmesh M6技术融合了最新的技术进步，应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。新的M6技术不仅显著改善了单位面积的RDS(on)，还具备出色的开关性能，为用户带来便捷体验，实现终端应用的最高效率。 TO-220FP宽爬电距离封装为功率MOSFET提供了更高的表面绝缘性能，可防止在污染环境中因电弧放电导致的故障。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比，单位面积的RDS(on)更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳二极管保护
应用领域
- 开关应用-LLC转换器、谐振转换器-升压PFC转换器