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SCTW90N65G2V
650V、119A、18mΩ碳化硅功率MOSFET
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- 描述
- 碳化硅功率MOSFET，650 V、119 A、18 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCTW90N65G2V
- 商品编号
- C5268814
- 商品封装
- HiP-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.333333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 119A | |
| 耗散功率(Pd) | 565W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 157nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 输出电容(Coss) | 294pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ |
商品概述
该碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发。器件具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
商品特性
- 极高的工作结温能力（T_J=200℃）
- 非常快速且坚固的本征体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
应用领域
- 开关应用
- 可再生能源系统电源
- 高频DC-DC转换器