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SCT040HU65G3AG
汽车级碳化硅功率MOSFET，高速开关性能，内置快速坚固体二极管，带源极感应引脚
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- 描述
- 汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V、40 mOhm（典型值）、30 A，采用 HU3PAK 封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCT040HU65G3AG
- 商品编号
- C5268816
- 商品封装
- HU3PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 221W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 94pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ |
商品概述
这款汽车级碳化硅功率MOSFET（型号SCT040HU65G3AG）具有650 V电压、典型值40 mΩ的电阻和30 A电流，采用HU3PAK封装。该器件采用先进且创新的第三代SiC MOSFET技术开发，在整个温度范围内具有极低的RDs(on)，同时结合低电容和极高的开关操作，可提升应用在频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
商品特性
- AEC-Q101认证
- 整个温度范围内具有极低的RDs(on)
- 高速开关性能
- 极快且稳健的本征体二极管
- 用于提高效率的源极感应引脚
应用领域
- 主逆变器（电力牵引）
- 电动汽车/混合动力汽车用DC/DC转换器
- 车载充电器（OBC）