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SCT070H120G3AG
电流:30A
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- 描述
- 汽车级碳化硅功率 MOSFET 1200 V、63 mOhm（典型值）、30 A，采用 H2PAK-7 封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCT070H120G3AG
- 商品编号
- C5268801
- 商品封装
- H2PAK-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 223W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品概述
这款碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体(ST)先进且创新的第三代碳化硅MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻(RDS(on)),同时具备低电容和极高的开关操作性能,可在频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面提升应用性能。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 在整个温度范围内具有极低的导通电阻(RDS(on))
- 高速开关性能
- 快速且坚固的本征体二极管
- 源极感应引脚,提高效率
应用领域
- 主逆变器(电力牵引)
- 电动汽车/混合动力汽车(EV/HEV)用DC/DC转换器
- 车载充电器(OBC)