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SCT055HU65G3AG
汽车级碳化硅功率MOSFET，高速开关性能，快速坚固本征体二极管，源极感应引脚提高效率
- 描述
- 汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V、58 mOhm（典型值）、30 A，采用 HU3PAK 封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCT055HU65G3AG
- 商品编号
- C5268810
- 商品封装
- HU3PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.333333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 185W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC | |
| 输入电容(Ciss) | 721pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 73pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ |