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SCTWA40N120G2V-4
SCTWA40N120G2V-4
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- 描述
- 碳化硅功率 MOSFET 1200 V、62 mOhm（典型值）、36 A，采用 HiP247-4 封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCTWA40N120G2V-4
- 商品编号
- C5268807
- 商品封装
- HiP-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 277W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.233nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 输出电容(Coss) | 56pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ |