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SCTWA70N120G2V-4
SCTWA70N120G2V-4
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- 描述
- 碳化硅功率 MOSFET 1200 V、21 mOhm（典型值）、91 A，采用 HiP247-4 封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCTWA70N120G2V-4
- 商品编号
- C5268808
- 商品封装
- HiP-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.987克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
该碳化硅功率MOSFET器件采用先进的第二代SiC MOSFET技术开发而成，具备极低的单位面积导通电阻和优异的开关性能。其开关损耗的变化几乎与结温无关。
商品特性
- 非常快速且坚固的本征体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 非常高的工作结温能力（TJ = 200 °C）
- 源极检测引脚，用于提高效率
应用领域
- 开关电源
- DC-DC转换器
- 工业电机控制