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STL38DN6F7AG
耐压:60V 电流:10A
- 描述
- 汽车级双路N沟道60 V、25 mOhm典型值、10 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL38DN6F7AG
- 商品编号
- C5271110
- 商品封装
- PowerFLAT(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 380pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.9pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用STripFETTM F7技术,其沟槽栅极结构经过优化,可实现极低的导通电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 具有市场上极低的 RDS(on)
- 出色的品质因数(FoM)
- 低 Crss / Ciss 比,具备抗电磁干扰(EMI)能力
- 高雪崩耐量
应用领域
-开关应用