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SCT070HU120G3AG

电流:30A

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描述
汽车级碳化硅功率 MOSFET 1200 V、63 mOhm(典型值)、30​​ A,采用 HU3PAK 封装
商品型号
SCT070HU120G3AG
商品编号
C5268799
商品封装
HU3PAK​
包装方式
编带
商品毛重
2.695385克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)30A
耗散功率(Pd)223W
阈值电压(Vgs(th))4.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)37nC
输入电容(Ciss)900pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)40pF
导通电阻(RDS(on))87mΩ

商品概述

这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件具有整个温度范围内极低的Rds(on),结合低电容和极高的开关操作,可提高应用在频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面的性能。

商品特性

  • AEC-Q101合格
  • 整个温度范围内的极低Rds(on)
  • 高速开关性能
  • 非常快速且坚固的本征体二极管
  • 用于提高效率的源极感应引脚

应用领域

  • 主逆变器(电动牵引)
  • EV/HEV的DC/DC转换器
  • 车载充电器(OBC)

数据手册PDF