温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STS10P3LLH6
1个P沟道 耐压:30V 电流:12.5A
- 描述
- P沟道-30 V、0.01 Ohm典型值、-12.5 A STripFET H6功率MOSFET，SO-8封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS10P3LLH6
- 商品编号
- C5268781
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.35nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 287pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
全新的MDmesh™ M6技术融入了对知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。 意法半导体（STMicroelectronics）通过其全新的M6技术，在MDmesh前代产品的基础上进行升级。该技术结合了出色的单位面积导通电阻（RDS(on)）改善效果和高效的开关性能，同时为用户带来便捷体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与前代产品相比，单位面积导通电阻（RDS(on)）更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 具备齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器
- 升压PFC转换器