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BD239C
NPN 电流:2A 电压:115V
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- 描述
- NPN硅功率晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- BD239C
- 商品编号
- C5268786
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 115V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 直流电流增益(hFE) | 15 | |
| 特征频率(fT) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 300uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 700mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 配置 | 独立式 |
商品概述
该器件采用平面技术制造，具有基岛布局。该晶体管具有高增益性能和极低的饱和电压。PNP型为BD240C。
商品特性
- NPN晶体管
- 采用平面技术制造，具有基岛布局
- 高增益性能
- 极低的饱和电压
应用领域
- 通用开关和放大晶体管