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STS5P3LLH6
1个P沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、5 A STripFET H6功率MOSFET，SO-8封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS5P3LLH6
- 商品编号
- C5268782
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@4.5V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 639pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
全新 MDmesh™ M6 技术融合了对知名且成熟的 MDmesh 超结（SJ）MOSFET 系列的最新改进。 意法半导体（STMicroelectronics）通过其全新 M6 技术，在 MDmesh 前代器件的基础上进行升级。该技术将出色的单位面积导通电阻（RDS(on)）改善与高效的开关性能相结合，同时为用户带来便捷体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与前代产品相比，单位面积导通电阻（RDS(on)）更低
- 栅极输入电阻低
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC 转换器
- 升压功率因数校正（PFC）转换器