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STF22N60M6
耐压:600V 电流:15A
- 描述
- N沟道600 V、196 mOhm典型值、15 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF22N60M6
- 商品编号
- C5268772
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
全新的MDmesh M6技术融合了最新的技术进步,应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。意法半导体(STMicroelectronics)通过其全新的M6技术,在MDmesh上一代产品的基础上进行升级。该技术不仅显著改善了单位面积的导通电阻RDS(on),还具备出色的开关性能,为用户带来便捷体验,从而最大限度地提高终端应用的效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,单位面积的导通电阻RDS(on)更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 采用齐纳二极管保护
应用领域
-开关应用-LLC转换器-升压PFC转换器