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STD65N160M9
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- 采用 DPAK 封装的 N 沟道 650 V、132 mOhm（典型值）、20 A MDmesh M9 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD65N160M9
- 商品编号
- C5268775
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.426克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
STU417S采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40V，漏极电流（ID） = -50A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 13mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源