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STP33N60M6
1个N沟道 耐压:600V 电流:25A
- 描述
- N沟道600 V、105 mOhm典型值、25 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP33N60M6
- 商品编号
- C5268765
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,12.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.4nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.515nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是采用MDmesh™ M2增强性能（EP）技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻、优化的开关特性和极低的关断开关损耗，使其适用于要求极高的超高频转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容（C_OSS）特性
- 极低的关断开关损耗
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- 专为超高频转换器（f > 150 kHz）设计