温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STF36N60M6
1个N沟道 耐压:600V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道600 V、85 mOhm典型值、30 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF36N60M6
- 商品编号
- C5268767
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
全新的MDmeshTM M6技术融合了对广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。意法半导体(STMicroelectronics)通过其新的M6技术,在MDmesh前代器件的基础上进一步发展,该技术将出色的单位面积RDS(ON)改善与高效的开关性能相结合,同时为终端应用提供最大效率的用户友好体验。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与前代产品相比,单位面积RDS(ON)更低
- 低栅极输入电阻
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用-LLC转换器-升压PFC转换器