BSS138BKW-BX-HXY
BSS138BKW-BX-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管漏源电压额定值为60V,连续漏极电流为0.1A,导通电阻典型值为1300毫欧,栅源电压耐受范围为±20V。器件适用于小信号放大、电平转换及低功耗负载开关电路。在便携式仪表、传感器接口及电池供电设备中,其参数特性可满足微弱电流控制需求,提供稳定的开关性能与低静态功耗表现。
- 商品型号
- BSS138BKW-BX-HXY
- 商品编号
- C54582529
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
BSS138BKW - BX采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 0.115A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 3Ω
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET
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