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BSS138BKW-BX-HXY实物图
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BSS138BKW-BX-HXY

BSS138BKW-BX-HXY

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描述
该N沟道场效应管漏源电压额定值为60V,连续漏极电流为0.1A,导通电阻典型值为1300毫欧,栅源电压耐受范围为±20V。器件适用于小信号放大、电平转换及低功耗负载开关电路。在便携式仪表、传感器接口及电池供电设备中,其参数特性可满足微弱电流控制需求,提供稳定的开关性能与低静态功耗表现。
商品型号
BSS138BKW-BX-HXY
商品编号
C54582529
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.039克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)115mA
导通电阻(RDS(on))1.3Ω@10V
耗散功率(Pd)200mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
输入电容(Ciss)50pF
反向传输电容(Crss)5pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)25pF

商品概述

BSS138BKW - BX采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 0.115A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 3Ω

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源
  • N沟道MOSFET

数据手册PDF