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QND100N02AJ
20V/90A N 沟道 MOSFET 3.1mΩ@4.5V
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- 描述
- 20V/90A N 沟道，3.1mΩ@4.5V/4.2mΩ@2.5V，360A 超大脉冲电流 + 156mJ 雪崩能量，±12V 宽栅压，低栅极电荷，-55~150℃宽温环保，适配顶级大功率负载开关 / 电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND100N02AJ
- 商品编号
- C53474614
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3715克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 20V，90A
- RDS(ON)典型值 = 3.1mΩ，VGS = 4.5V
- RDS(ON)典型值 = 4.2mΩ，VGS = 2.5V
- 提供无铅和环保器件
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理