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QND100N02AJ
20V/90A N 沟道 MOSFET 3.1mΩ@4.5V 停产
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- 描述
- 20V/90A N 沟道，3.1mΩ@4.5V/4.2mΩ@2.5V，360A 超大脉冲电流 + 156mJ 雪崩能量，±12V 宽栅压，低栅极电荷，-55~150℃宽温环保，适配顶级大功率负载开关 / 电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND100N02AJ
- 商品编号
- C53474614
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3715克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.476nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 464pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 528pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 20V，90A
- RDS(ON)典型值 = 3.1mΩ，VGS = 4.5V
- RDS(ON)典型值 = 4.2mΩ，VGS = 2.5V
- 提供无铅和环保器件
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理