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QND22N10G
100V/8A N 沟道 SGT MOSFET 130mΩ@10V
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- 描述
- 100V/8A N 沟道，130mΩ@10V/160mΩ@4.5V，采用先进分离栅沟槽技术，±20V 宽栅压 + 32A 脉冲电流，-55~150℃宽温环保，适配电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND22N10G
- 商品编号
- C53474624
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 100V，8A
- RDS(ON) < 130mΩ，VGS = 10V
- RDS(ON) < 160mΩ，VGS = 4.5V
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理