QND60P02
-20V/-60A P 沟道 MOSFET 5mΩ@-4.5V
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- 描述
- -20V/-60A P 沟道，5mΩ@-4.5V/7mΩ@-2.5V，-240A 超大脉冲 + 42mJ 雪崩能量，-55~150℃宽温环保，适配电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND60P02
- 商品编号
- C53474626
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- -20V，-60A
- RDS(ON)典型值 = 5mΩ，VGS = -4.5V
- RDS(ON)典型值 = 7mΩ，VGS = -2.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理