QN4406AY
30V/15A N 沟道 MOSFET 9.5mΩ@10V
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- 描述
- 30V/15A N 沟道,9.5mΩ@10V/15.5mΩ@4.5V,60A 大脉冲电流 + 56mJ 雪崩能量,±20V 宽栅压,100% UIS+ΔVds 双重测试,-55~150℃宽温环保,适配负载开关 / 电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QN4406AY
- 商品编号
- C53474636
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.121克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 30V、13A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 9.5mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 14.5mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
