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QN4606
30V 互补型 MOSFET (9A N 沟道 / 7A P 沟道) 16mΩ@10V 停产
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- 描述
- 30V N+P沟道 MOSFET，N 沟道 9A（16mΩ@10V/24mΩ@4.5V）+ P 沟道 - 7A（27mΩ@-10V/38mΩ@-4.5V），36A/-28A 大脉冲电流，±20V 宽栅压，快速开关，-55~150℃宽温环保，适配电池保护 / 负载开关 / 电源管理
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QN4606
- 商品编号
- C53474638
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A；9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V；16mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC；10nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 982pF；490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF；109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF；79pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道：30V、9A
- 当栅源电压VGS = 10V时，漏源导通电阻RDS(ON) < 21mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，漏源导通电阻RDS(ON) < 33mΩ
- P沟道：-30V、-7A
- 当栅源电压VGS = -10V时，漏源导通电阻RDS(ON) < 35mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，漏源导通电阻RDS(ON) < 54mΩ
- 出色的栅极电荷与漏源导通电阻乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 快速开关速度
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理