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QN5P10
-100V/-5A P 沟道 MOSFET 302mΩ@-10V
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- 描述
- -100V/-5A P 沟道，302mΩ@-10V/400mΩ@-4.5V，-12A 大脉冲电流 + 20mJ 雪崩能量，±20V 宽栅压，-55~150℃宽温环保，适配负载开关 / 电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QN5P10
- 商品编号
- C53474634
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1265克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 100V，-5A
- RDS(ON) < 350mΩ，@ VGS = -10V
- RDS(ON) < 400mΩ，@ VGS = -4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理