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QND60P03AJ
-30V/-60A P 沟道 MOSFET 5.4mΩ@-10V
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- 描述
- -30V/-60A P 沟道，5.4mΩ@-10V/7.2mΩ@-4.5V，240A 超大脉冲 + 152mJ 雪崩能量，±20V 宽栅压，-55~150℃宽温环保，适配电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND60P03AJ
- 商品编号
- C53474627
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.368克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- V_D5 = -30V，I_D = -60A
- R_DS(ON) = 5.4mΩ，V_GS = -10V
- R_DS(ON) = 7.2mΩ，V_GS = -4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的R_DS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理