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QND60P03AJ
-30V/-60A P 沟道 MOSFET 5.4mΩ@-10V 停产
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- 描述
- -30V/-60A P 沟道，5.4mΩ@-10V/7.2mΩ@-4.5V，240A 超大脉冲 + 152mJ 雪崩能量，±20V 宽栅压，-55~150℃宽温环保，适配电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND60P03AJ
- 商品编号
- C53474627
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.368克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.836nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 433pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 563pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- V_D5 = -30V，I_D = -60A
- R_DS(ON) = 5.4mΩ，V_GS = -10V
- R_DS(ON) = 7.2mΩ，V_GS = -4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的R_DS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理