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QN20ND06
60V/12A 双 N 沟道 MOSFET 9mΩ@10V 停产
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- 描述
- 60V/12A 双 N 沟道，9mΩ@10V/10mΩ@4.5V，48A 大脉冲电流 + 36mJ 雪崩能量，±20V 宽栅压，-55~150℃宽温环保，适配负载开关 / 电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QN20ND06
- 商品编号
- C53474630
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.226nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 187pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 60V、12A
- RDS(ON)典型值 = 9mΩ，栅源电压(VGS) = 10V
- RDS(ON)典型值 = 10mΩ，栅源电压(VGS) = 4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制(PWM)应用
- 电源管理