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QN16ND18AX
12V/7A 双 N 沟道 MOSFET 10.5mΩ@4.5V
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- 描述
- 12V/7A 双 N 沟道，10.5mΩ@4.5V/13.5mΩ@2.5V，28A 大脉冲电流 + 16mJ 雪崩能量，±12V 宽栅压，-55~150℃宽温环保，适配负载开关 / 电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QN16ND18AX
- 商品编号
- C53474631
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.121克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 12V，7A
- RDS(ON)典型值 = 10.5mΩ，VGS = 4.5V
- RDS(ON)典型值 = 13.5mΩ，VGS = 2.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理