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QNC30PD19AY
-30V/-8A 双 P 沟道 MOSFET 19mΩ@-10V 停产
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- 描述
- -30V/-8A 双 P 沟道，19mΩ@-10V/32mΩ@-4.5V，-32A 大脉冲电流 + 20mJ 雪崩能量，±20V 宽栅压，100% UIS 测试，-55~150℃宽温环保，适配负载开关 / 电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNC30PD19AY
- 商品编号
- C53474633
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.121克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 116pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- -30V，-8A
- RDS(ON)典型值 = 19mΩ，VGS = -10V
- RDS(ON)典型值 = 32mΩ，VGS = -4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
- 100% UIS测试
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理