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QN4812
30V/8A 双 N 沟道 MOSFET 21mΩ@10V 停产
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- 描述
- 30V/8A 双 N 沟道，21mΩ@10V/24mΩ@4.5V/34mΩ@2.5V，32A 大脉冲电流 + 16mJ 雪崩能量，±12V 宽栅压，-55~150℃宽温环保，适配负载开关 / 电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QN4812
- 商品编号
- C53474632
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 462pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 30V，8A
- RDS(ON) < 23mΩ，VGS = 10V
- RDS(ON) < 26mΩ，VGS = 4.5V
- RDS(ON) < 36mΩ，VGS = 2.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理