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QN4407
-30V/-12A P 沟道 MOSFET 10.5mΩ@-10V 停产
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- 描述
- -30V/-12A P 沟道，10.5mΩ@-10V/14.6mΩ@-4.5V，-48A 超大脉冲 + 64mJ 雪崩能量，±20V 宽栅压，-55~150℃宽温环保，适配负载开关 / 电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QN4407
- 商品编号
- C53474629
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.504nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 224pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 248pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- -30V，-12A
- RDS(ON) < 14.0mΩ，在 VGS = -10V 时
- RDS(ON) < 22.5mΩ，在 VGS = -4.5V 时
- 先进的沟槽技术
- 出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM 应用
- 电源管理