温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
QN4606C
30V 互补型 MOSFET (9A N 沟道 / 7A P 沟道) 17mΩ@10V 停产
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 30V N+P沟道 MOSFET，N 沟道 9A（17mΩ@10V/25mΩ@4.5V）+ P 沟道 - 7A（37mΩ@-10V/60mΩ@-4.5V），±20V 宽栅压 + 快速开关，-55~150℃宽温环保，适配电池保护 / 负载开关 / 电源管理
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QN4606C
- 商品编号
- C53474628
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A；9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V；37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W；2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC；10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 307pF；335pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF；44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF；54pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道：30V、9A
- 在栅源电压为10V时，漏源导通电阻小于27mΩ
- 在栅源电压为4.5V时，漏源导通电阻小于37mΩ
- P沟道：-30V、-7A
- 在栅源电压为 -10V时，漏源导通电阻小于46mΩ
- 在栅源电压为 -4.5V时，漏源导通电阻小于72mΩ
- 出色的栅极电荷与漏源导通电阻乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 快速开关速度
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理