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QND50P02BY
-20V/-55A P 沟道 MOSFET 6.2mΩ@-4.5V
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- 描述
- -20V/-55A P 沟道，6.2mΩ@-4.5V/8.4mΩ@-2.5V，-220A 超大脉冲 + 39mJ 雪崩能量，-55~150℃宽温环保，适配电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND50P02BY
- 商品编号
- C53474625
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.367克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- -20V，-55A
- RDS(ON)典型值 = 6.2mΩ，VGS = -4.5V
- RDS(ON)典型值 = 8.4mΩ，VGS = -2.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理