QND50N06AX
60V/50A N 沟道 MOSFET 12.5mΩ@10V
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- 描述
- 60V/50A N 沟道,12.5mΩ@10V/15.5mΩ@4.5V,200A 超大脉冲 + 56mJ 雪崩能量,±20V 宽栅压,-55~150℃宽温环保,适配电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND50N06AX
- 商品编号
- C53474621
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.374克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 60V,50A
- RDS(ON)典型值 = 12.5mΩ,栅源电压VGS = 10V
- RDS(ON)典型值 = 15.5mΩ,栅源电压VGS = 4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
