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QND80N06D
60V/58A N 沟道 MOSFET 7mΩ@10V
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- 描述
- 60V/58A N 沟道，7mΩ@10V/8.5mΩ@4.5V，232A 超大脉冲 + 121mJ 雪崩能量，±20V 宽栅压，-55~150℃宽温环保，适配电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND80N06D
- 商品编号
- C53474623
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 60V，58A
- RDS(ON)典型值 = 7mΩ，栅源电压VGS = 10V时
- RDS(ON)典型值 = 8.5mΩ，栅源电压VGS = 4.5V时
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理