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QND80N06D
60V/58A N 沟道 MOSFET 7mΩ@10V 停产
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- 描述
- 60V/58A N 沟道，7mΩ@10V/8.5mΩ@4.5V，232A 超大脉冲 + 121mJ 雪崩能量，±20V 宽栅压，-55~150℃宽温环保，适配电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND80N06D
- 商品编号
- C53474623
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.973nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 163pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 177pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 60V，58A
- RDS(ON)典型值 = 7mΩ，栅源电压VGS = 10V时
- RDS(ON)典型值 = 8.5mΩ，栅源电压VGS = 4.5V时
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理