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QND30N03LJ
N沟道 30V 12A 停产
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- 描述
- 30V/12A N 沟道，19mΩ@10V/27mΩ@4.5V，40A 大脉冲电流 + 30mJ 雪崩能量，±20V 宽栅压，低栅极电荷，-55~150℃宽温环保，适配中压负载开关 / 电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND30N03LJ
- 商品编号
- C53474616
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.362克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 376pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |