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QND120N02AJ
20V/90A N 沟道 MOSFET 2.2mΩ@4.5V
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- 描述
- 20V/90A N 沟道，2.2mΩ@4.5V/2.9mΩ@2.5V，360A 超大脉冲电流 + 156mJ 雪崩能量，±12V 宽栅压，低栅极电荷，绿色环保器件，-55~150℃宽温环保，适配顶级大功率负载开关 / 电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND120N02AJ
- 商品编号
- C53474615
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3715克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
采用先进沟槽技术，具备出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。
商品特性
- 20V、90A
- 导通电阻（RDS(ON)）典型值 = 2.2mΩ，栅源电压（VGS） = 4.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）典型值 = 2.9mΩ，栅源电压（VGS） = 2.5V
- 提供无铅和环保器件
- 出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
负载开关、PWM应用、电源管理