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QND160N03C
30V/160A N 沟道 MOSFET 2.7mΩ@10V
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- 描述
- 30V/160A N 沟道，2.7mΩ@10V/4.5mΩ@4.5V，385A 超大脉冲 + 94mJ 雪崩能量，低导通阻 + 高功率承载，-55~150℃宽温环保，适配电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND160N03C
- 商品编号
- C53474619
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3705克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 30V、160A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 3.5mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 4.5mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理