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QND30N06AX
60V/20A N 沟道 MOSFET 26mΩ@10V
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- 描述
- 60V/20A N 沟道，26mΩ@10V/33mΩ@4.5V，80A 大脉冲电流 + 27mJ 雪崩能量，±20V 宽栅压，低栅极电荷，-55~150℃宽温环保，适配高压大功率负载开关 / 电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND30N06AX
- 商品编号
- C53474620
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3645克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 60V、20A
- RDS(ON)典型值 = 26mΩ，栅源电压(VGS) = 10V
- RDS(ON)典型值 = 33mΩ，栅源电压(VGS) = 4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理