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QND60N03AJ
30V/60A N 沟道 MOSFET 7.0mΩ@10V
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- 描述
- 30V/60A N 沟道，7.0mΩ@10V/11.5mΩ@4.5V，120A 超大脉冲电流 + 135mJ 雪崩能量，±20V 宽栅压，低栅极电荷，-55~150℃宽温环保，适配中压顶级大功率负载开关 / 电源管理 / PWM
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QND60N03AJ
- 商品编号
- C53474618
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3815克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 30V，60A
- 当栅源电压VGS = 10V（典型值）时，漏源导通电阻RDS(ON) = 7.0mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V（典型值）时，漏源导通电阻RDS(ON) = 11.5mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的漏源导通电阻和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理