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SIR882ADP-T1-GE3-HXY
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻低至7.3毫欧，在栅源电压不超过20V的条件下可稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、电机驱动及高频率开关电路等场景。器件结构优化了开关特性，兼顾快速响应与可靠性，适合在复杂电气环境中实现高效能量控制。
- 商品型号
- SIR882ADP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53262892
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.046nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 865pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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