SIR846ADP-T1-GE3-HXY

SIR846ADP-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。器件适用于高效率功率转换场景，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。在开关电源、电机驱动及各类中高功率电子设备中，该MOSFET可提供稳定可靠的性能表现，满足对高电流承载能力和低热损耗的严苛要求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIR846ADP-T1-GE3-HXY

商品编号

C53262896

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)