BUK7510-100B-HXY

BUK7510-100B-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至8.5毫欧，栅源驱动电压（VGS）最大可达20V。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。器件采用标准封装形式，便于在紧凑型电路布局中集成，同时确保在高电流工作条件下保持稳定可靠的电气特性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BUK7510-100B-HXY

商品编号

C53262913

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3克(g)