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DMTH10H009SPSQ-13-HXY
DMTH10H009SPSQ-13-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧，在栅源电压（VGS）达20V时可确保充分导通。其高电流承载能力与低导通损耗特性，适用于高效率电源转换、电机控制及大电流开关电路等场合。器件在高频操作下仍能保持良好的热稳定性和开关性能，适合对功率密度和能效有较高要求的应用环境。
- 商品型号
- DMTH10H009SPSQ-13-HXY
- 商品编号
- C53262927
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
参数完善中
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