DMTH10H009SPSQ-13-HXY

DMTH10H009SPSQ-13-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧，在栅源电压（VGS）达20V时可确保充分导通。其高电流承载能力与低导通损耗特性，适用于高效率电源转换、电机控制及大电流开关电路等场合。器件在高频操作下仍能保持良好的热稳定性和开关性能，适合对功率密度和能效有较高要求的应用环境。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMTH10H009SPSQ-13-HXY

商品编号

C53262927

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.126克(g)