温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPP05CN10LG-HXY
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具有120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻低至4.1毫欧。器件采用优化的结构设计，在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗和良好的热稳定性。其低RDS(ON)特性有助于提升系统效率，适用于对导通性能和开关速度有较高要求的电源转换及功率管理场景。由于具备较高的电流承载能力和稳定的电气特性，该MOSFET可满足多种高负载应用中的可靠运行需求。
- 商品型号
- IPP05CN10LG-HXY
- 商品编号
- C53262942
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.838克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.102nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 592pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- PSMN4R8-100PSEQ-HXY
- AOT66918L
- IPP100N10S305AKSA2-HXY
- NVMFWS004N10MCT1G-HXY
- STP130N10F3-HXY
- FQP90N10V2-HXY
- BUK9510-100B-HXY
- BSC079N10NSGATMA1-HXY
- PSMN9R5-100PS-HXY
- PSMN5R0-100PS-HXY
- AOT418L
- STP80N10F7-HXY
- FDP045N10A-F032-HXY
- STD5NK50ZT4-HXY
- IRFR430BTM-HXY
- SPD03N50C3ATMA1-HXY
- IRFR430BTF-HXY
- RJK5030DPD-03#J2-HXY
- IPD50R1K4CEAUMA1-HXY
- SIHD5N50D-E3-HXY
- RJK5003DPD-00#J2-HXY