PSMN4R8-100PSEQ-HXY

PSMN4R8-100PSEQ-HXY

描述

该N沟道MOSFET额定漏极电流ID为120A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDS(ON)典型值为4.1毫欧。其低导通电阻有助于在大电流工作时显著降低导通损耗，提升整体能效。器件结构支持高效散热，在高负载条件下仍可维持稳定性能。适用于需要高电流处理能力与低功耗特性的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景，能够可靠应对严苛的电气工作环境。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

PSMN4R8-100PSEQ-HXY

商品编号

C53262943

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.826克(g)