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FDD5N50FTM-WS-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备500V的漏源击穿电压（VDSS），在指定栅源驱动条件下导通电阻（RDS(ON)）为1300mΩ，连续漏极电流（ID）额定值为5A。由于其较高的耐压能力与适中的电流承载水平，适用于对电压应力要求较高的中小功率开关应用，例如电源适配器、照明驱动及各类通用电子设备中的功率控制环节。器件在保证安全工作区的同时，可满足多种电路拓扑对高侧或低侧开关的需求。
- 商品型号
- FDD5N50FTM-WS-HXY
- 商品编号
- C53262964
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 582pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
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